日本开发用于新一代半导体的新型晶体管结构

摘要:

目前量产的最先进工艺是台积电、三星的5nm,明年有望量产3nm工艺,再往后的2nm工艺需要全新的技术,制造难度更高,是大国争抢的制高点之一。在先进工艺上,目前台积电、三星及Intel等几家实力强大,日本公司主要是在光刻胶、硅片等材料有较大优势,但日本也没有放弃先进工艺上的努力。

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据日本媒体报道,日本产业技术综合研究所与中国台湾半导体研究中心(TSRI)等展开合作,开发了用于新一代半导体的新型晶体管结构。

相比其他技术,该技术将硅(Si)和锗(Ge)等不同沟道材料从上下方堆叠、使“n型”和“p型”场效应晶体管靠近的名为“CFET”的结构。

报道称,与此前的晶体管相比,CFET结构的晶体管性能高、面积小,有助于制造2nm以下线宽的新一代半导体。

据悉,这一研究成果发表于2020年12月在线上举行的半导体相关国际会议“IEDM2020”。该项新技术有望在今后约3年里对民营企业进行转让,正式开始商用。

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