SK海力士表示将扩展8英寸芯片代工业务

摘要:

SK Hynix 官员在 4 月 28 日的电话会议上表示,尽管当前尚无具体的规划,但公司正在讨论扩展 8 英寸代工业务的各种方法。据悉,作为该公司为扩大制造业务而付出的努力的一部分,SK Hynix 旗下代工厂 System IC 将从韩国青州迁至中国,以保持价格竞争力。与此同时,SK Hynix 表示尚无大规模推广 12 英寸晶圆代工或先进工艺的投资计划。

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利川工厂资料图(来自:SK Hynix)

电话会议期间,有人询问在从英特尔手中收购了 NAND 闪存业务部门之后,SK Hynix 是否会出售其在日本半导体公司铠侠(Kioxia)的股份以筹集资金。对此,该公司一位官员回答道,SK Hynix 确实有意出售手头 2/3 的铠侠股份。

据悉,SK Hynix 在 2021 年 1 季度实现了 84942 亿韩元(约 76 亿美元)的销售额、营业利润 10244 亿韩元(约 9.17 亿美元)、净利润 9926 亿韩元(约 8.88 亿美元),较 2020 同期分别增长 18%、66% 和 53% 。

尽管一季度是半导体行业的传统淡季,但受 2021 年初的有利市场条件的推动,这家芯片制造商还是公布了让人感到如此惊讶的收益,可知 PC / 移动设备的半导体存储(包括 DRAM 和 NAND)需求在其中扮演了重要角色。

得益于拳头产品产量的显著提升,SK Hynix 的成本竞争力也有所改善,营业利润较上一季度增长了 37% 。

在移动、PC、图形产品的带动下,DRAM 出货量较上季度增长了 4% 。此外随着大容量移动设备的销售激增,NAND 闪存的出货量较上季度增长了 21% 。

展望 2021 下半年,SK Hynix 对其前景也相当看好。该公司预测,行业丢 DRAM 的需求将继续增长,同时 NAND 闪存的市场条件当得到一定的改善。

从今年 2 季度开始,SK Hynix 将分享有关 12GB 大容量多芯片封装(MCP)工艺的更多细节。

同时该公司决定增加第三代 1z(10nm)旗舰 DRAM 产品的产量,并于 2021 年内开始基于极紫外光刻(EUV)工艺的第四代(1a)产品的量产。

NAND 闪存方面,SK Hynix 强调将在 2021 年底前增加 128 层产品的销售比例,并开始 176 层闪存的批量生产。

最后,考虑到近期半导体需求的增强、以及对未来设备供应方面的考量,SK Hynix 决定在 2021 年提前开展原定于 2022 年进行的相关投资。

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