南大光电高端ArF光刻胶获得突破 未来可用于7nm工艺

摘要:

在半导体制造上,国内厂商需要突破的不只是光刻机等核心设备,光刻胶也是重要的一环。南大光电日前宣布,该公司研发的高端ArF光刻机已经获得了国内某企业的认证,用于55nm工艺制造。

南大光电于5月31日晚间发布公告,控股子公司宁波南大光电自主研发的ArF光刻胶继2020年12月在一家存储芯片制造企业的50nm闪存平台上通过认证后,近日又在逻辑芯片制造企业55nm技术节点的产品上取得了认证突破,表明公司光刻胶产品已具备55nm平台后段金属布线层的工艺要求。

不过南大光电没有透露具体的客户名字。

在光刻机市场上,国内自给率极低,欧美日等地区的厂商占据主要份额,JSR、信越化学等TOP5厂商占据全球87%的份额。

光刻胶有不同的技术类别,低端的中g线/i线光刻胶自给率约为20%,KrF光刻胶自给率不足5%,而高端的ArF光刻胶完全依赖进口,是国内半导体的卡脖子技术之一。

虽然南大光电的ArF光刻胶现在通过的是55nm工艺认证,但ArF光刻胶涵盖的工艺技术很广,可用于90nm-14nm甚至7nm 技术节点制造工艺,广泛应用于高端芯片制造(如逻辑芯片、 存储芯片、AI 芯片、5G 芯片和云计算芯片等)。

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