传长江存储已交付192层3D NAND闪存样品 年底推出产品

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业内人士透露,长江存储最近已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品,预计将在今年年底前正式推出产品。据《电子时报》报道,上述人士表示,推出192层3D NAND闪存芯片,是长江存储的一个里程碑。该公司正努力在技术竞赛中赶上规模更大的韩国和美国同行。

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图源:长江存储

消息人士称,因128层3D NAND闪存工艺良率已改善至令人满意的水平,长江存储也将月产量扩大至10万片晶圆。该公司将很快完成其总部位于武汉的工厂二期设施的建设,设备入驻预计将在今年晚些时候启动。到2023年底,长江存储月产量可能超过20万片,全球市场份额有望达到7-8%。

另一方面,美光科技推出了业内首款232层3D NAND闪存,预计将在2023年推出的新款SSD中使用。市场观察人士认为,三星电子预计将在2022年晚些时候加入200层以上3D NAND闪存的竞争。(校对/隐德莱希)

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