传合肥长鑫年底量产DDR4内存:19nm工艺、8Gb核心

摘要:

前不久紫光宣布在重庆投资数百亿建设DRAM内存研发中心及晶圆厂,最快2021年量产,这对国产芯片,尤其是内存来说是一个大事件。 不过在紫光之前,我们可能看到的第一个国产内存应该是合肥长鑫公司的,他们比紫光做内存更早,该公司2016年成立于安徽合肥,一期工程投资就高达72亿美元(约合494亿人民币),将建设一座月产能12.5万晶圆的内存厂,目前工厂建设已经进入了尾声,正在进行设备安装、调试阶段。

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最新消息显示,合肥长鑫的进展还跟顺利,已经提前进行机台安装,有望在Q4季度顺利量产国内第一批内存。

根据合肥长鑫之前公开的资料,去年该公司与兆易创新达成了合作协议,共同开发19nm工艺的DRAM内存,去年底已经推出了8Gb DDR4内存样品,今年Q3季度推出8Gb LPDDR4内存样品,年底正式量产,月产能将达到2万片晶圆,后续不断提升到12.5万片晶圆/月的目标产能。

此前在GSA+Memory存储峰会上,长鑫存储的董事长兼CEO朱一明发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲,提到了长鑫的DRAM内存技术来源,主要就是已破产的奇梦达公司,获得了一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据,在此基础上改进、研发自主产权的内存芯片,耗资超过25亿美元。

如果年底顺利量产19nm工艺、8Gb核心的内存,虽然与美光三星等公司的第三代10nm工艺还有一两代的代差,但是这个技术水平还是可以的,因为市面上很多内存条也就是这个规格,用于制备单条8GB、16GB的内存条是OK的,可以说国产内存的起点是非常高的,但后续的良率、产能提升才是关键,在这个市场上赚到钱活下去并不容易。

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