SK海力士宣布明年量产1Znm 16Gb DDR4 DRAM

摘要:

SK 海力士公司今日宣布,其已成功开发出 1Znm 16GB DDR4 动态随机存储器(DRAM),创下了业内单芯最大密度的纪录。与上一代 1Y nm 产品相比,其产能提升约 27%,因其无需昂贵的极紫外(EUV)光刻加持,因此更具成本竞争优势。

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资料图(来自:SK hynix,via TechPowerUp)

此外,新型 1Z nm DRAM 还支持高达 DDR4-3200 的数据传输速率。与使用 1Y nm 工艺打造、基于 8Gb DRAM 制成的同容量模块相比,其能耗更是降低了 40% 。

值得一提的是,SK hynix 引入了上一代制造工艺中未引入的新材料,从而最大限度地提升了 1Z nm 产品的电容。

作为 DRAM 运行的关键要素,其决定了内存可存储的电荷量,且新设计能够提升操作的稳定性。

SK hynix DRAM开发与业务负责人 Lee Jung-hoon 表示:

1Z nm DDR4 DRAM 具有业界最高的密度、速度和能效优势,使之成为追求高性能、高密度 DRAM 客户适应不断变化需求的最佳选择。

SK hynix 将于明年开始量产并全面交付,以积极响应市场需求。

最后,SK hynix 计划将 1Znm 工艺扩展到各种应用,如下一代 LPDDR5 移动 DRAM、以及更快的 HBM3 显存上。

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