进军DDR5/GDDR6/LPDDR5内存 合肥长鑫计划第三代10nm工艺

摘要:

千呼万唤始出来,前两天国内DRAM内存终于迎来了历史性一刻——合肥长鑫的DDR4内存终于开始对外供货了。严格来说,合肥长鑫的内存不是第一款国产DRAM内存芯片,紫光旗下的紫光国微之前也有DDR内存研发,也曾少量用于国产的服务器等产品中,但是紫光国微没有生产能力,DDR内存无法大量供应。

所以合肥长鑫是首个真正具备量产能力的国产内存,他们现在已经可以供应DDR4内存芯片、DDR4模组及LPDDR4X移动内存,频率可达2666MHz、2666MHz、3733MHz,也是比较主流的水平了。

目前长鑫生产的内存芯片使用的还是10G1工艺,也就是10nm级第一代工艺,具体来说是19nm工艺,相比三星来说落后了两三代水平

不过长鑫已经在规划后续的内存新品及工艺了,预计还会有10G3、10G5工艺,目前具体水平不确定,大概率会是1X、1Y、1Znm工艺的演进,相当于16-19、14-16、12-14的水平,具体看长鑫的能力。

产品方面,除了目前的DDR4、LPDDR4之外,未来还会有DDR5、LPDDR5、GDDR6等,覆盖桌面、移动及图形三大市场,产品线齐全。

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